優(yōu)勢品牌
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德國SENTECH等離子刻蝕機產(chǎn)品描述：德國SENTECH等離子刻蝕機 ICP-RIE SI 500主要用于 半導體制造: 用于半導體器件的刻蝕工藝 微電子加工: 用于微電子器件的精細加工 材料科學: 用于各種材料的表面處理和刻蝕 科學研究: 用于實驗室中的材料研究和工藝開發(fā)
產(chǎn)品類別：
等離子蝕刻
ICPECVD 系統(tǒng)
原子層沉積系統(tǒng)
用于等離子蝕刻和沉積的集群配置
質(zhì)量控制計量
橢圓偏振光譜儀
光譜反射計
激光橢偏儀
原位計量/端點檢測
主要型號：SI 500 ICP-RIE
ICP-RIE SI 500
Etchlab 200 RIE
產(chǎn)品介紹： SI 500 ICP-RIE 等離子刻蝕機
型號: ICP-RIE SI 500
等離子源: PTSA（三螺旋平行板天線）等離子源
襯底溫度控制: 動態(tài)溫度控制的襯底電極，溫度范圍從-150°C至+400°C
真空系統(tǒng): 全自動控制的真空系統(tǒng)
控制軟件: 使用遠程現(xiàn)場總線技術的SENTECH控制軟件
用戶界面: 用戶友好的通用接口
靈活性和模塊化: 設計特點為靈活性和模塊化
適用材料: 可用于加工各種材料，包括三五族化合物半導體（GaAs, InP, GaN, InSb）、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物（SiC, SiGe）、金屬等
特點:
高離子密度和低離子能量的均勻等離子體
高耦合效率和非常好的起輝性能
單晶片預真空室保證穩(wěn)定的工藝條件
切換工藝非常容易
優(yōu)勢特點：高密度等離子體: 產(chǎn)生高離子密度和低離子能量分布均勻的等離子體
納米結構損傷小: 由于離子能量分布較低，可以實現(xiàn)低損傷蝕刻和納米結構
簡單高速腐蝕: 高長徑比MEMS用硅的高速率蝕刻
室溫工藝或光滑側壁的低溫工藝: 可選擇不同的工藝條件
靈活性和模塊化設計: 可根據(jù)需求進行升級和擴展
主要應用：半導體制造: 用于半導體器件的刻蝕工藝
微電子加工: 用于微電子器件的精細加工
材料科學: 用于各種材料的表面處理和刻蝕
科學研究: 用于實驗室中的材料研究和工藝開發(fā)
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